X射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗口
產品概述：
X-射線薄膜窗能夠實現軟X-射線(如真空紫外線)的率。主要用于同步輻射X射線顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。在“離軸”狀態工作(即薄膜與光束成角度)時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。
氮化硅薄膜窗口是利用現代MEMS技術制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口適合應用于成像和能譜等廣泛的科學研究領域，例如，X-射線(上海光源成像/能譜線站)、TEM、SEM、IR、UV等。
現在提供X-射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產品，規格如下：
外框尺寸 (4種標準規格):
5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形)
7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm)
10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形)
邊框厚度： 200μm、381μm、525μm。
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
我們也可以為用戶定制產品(30-500nm)，但要100片起訂。
本產品為性產品，不建議用戶重復使用，本產品不能進行聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術指標：
透光度：
對于X射線用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，對于軟X射線(例如碳邊吸收譜)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用戶。
真空適用性：
真空適用性數據如下：
薄膜厚度 窗口面積 壓力差
≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm
≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm
≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm
表面平整度：
氮化硅薄膜窗口產品的表面平整性很穩定(粗糙度小于1nm)，對于X射線應用沒有任何影響。
溫度特性：
氮化硅薄膜窗口產品是產品，能夠承受1000度高溫，適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。
化學特性：
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應用簡介和優點：
1、同步輻射X射線(紫外或紫外)成像或能譜應用中是的樣品承載體。
2、、惰性襯底，適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學晶體材料和功能薄膜材料的制備環境，利于制備理想的用于X射線表征用的自組裝單層薄膜或薄膜(薄膜直接沉積在窗口上)。
3、生物和濕細胞樣本的理想承載體。是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。
4、、惰性襯底，也可以用于化學反應和退火效應的原位表征。
5、適合做為膠體、氣凝膠、材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。
氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口陣列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2陣列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列；膜厚：50nm
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：50nm
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
定制產品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張，10×10mm切片
襯底厚度：200um 溫度范圍：1000℃ 真空適應：1個大氣壓
厚度可以選擇：200um，381um，525um，需要提前說明。
產品概述：
X-射線薄膜窗能夠實現軟X-射線(如真空紫外線)的率。主要用于同步輻射X射線顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。在“離軸”狀態工作(即薄膜與光束成角度)時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。
氮化硅薄膜窗口是利用現代MEMS技術制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口適合應用于成像和能譜等廣泛的科學研究領域，例如，X-射線(上海光源成像/能譜線站)、TEM、SEM、IR、UV等。
現在提供X-射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產品，規格如下：
外框尺寸 (4種標準規格):
5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形)
7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm)
10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形)
邊框厚度： 200μm、381μm、525μm。
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
我們也可以為用戶定制產品(30-500nm)，但要100片起訂。
本產品為性產品，不建議用戶重復使用，本產品不能進行聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術指標：
透光度：
對于X射線用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，對于軟X射線(例如碳邊吸收譜)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用戶。
真空適用性：
真空適用性數據如下：
薄膜厚度 窗口面積 壓力差
≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm
≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm
≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm
表面平整度：
氮化硅薄膜窗口產品的表面平整性很穩定(粗糙度小于1nm)，對于X射線應用沒有任何影響。
溫度特性：
氮化硅薄膜窗口產品是產品，能夠承受1000度高溫，適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。
化學特性：
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應用簡介和優點：
1、同步輻射X射線(紫外或紫外)成像或能譜應用中是的樣品承載體。
2、、惰性襯底，適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學晶體材料和功能薄膜材料的制備環境，利于制備理想的用于X射線表征用的自組裝單層薄膜或薄膜(薄膜直接沉積在窗口上)。
3、生物和濕細胞樣本的理想承載體。是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。
4、、惰性襯底，也可以用于化學反應和退火效應的原位表征。
5、適合做為膠體、氣凝膠、材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。
氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口陣列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2陣列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列；膜厚：50nm
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：50nm
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
定制產品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張，10×10mm切片
襯底厚度：200um 溫度范圍：1000℃ 真空適應：1個大氣壓
厚度可以選擇：200um，381um，525um，需要提前說明。
