FIB技術主要利用液態金屬離子源作為高電流密度的離子槍，其小離子束直徑可達幾個納米。因此可在納米水平上進行快速、準確的刻蝕納米加工。同時，利用配置的氣體注入系統（GIS）,可以對樣品進行納米尺度的金屬、絕緣體沉積，并可以對金屬、絕緣體材料進行選擇性腐蝕，因此在對集成電路進行改性、制備納米量子器件、納米集成電路，如單電子量子開關、納米場效應管，準一維納米結構的量子輸運研究，及剖析微器件的橫截面、透射電鏡樣品的制備等半導體、介觀物理研究領域，具有廣泛的應用。簡單綜合起來，FIB主要具有以下強大功能：

（1）對微器件進行減薄、剝蝕等解剖分析，

利用高電流密度的離子槍，可對微小樣品進行縱深切割、定向鉆孔。因此可對微器件，尤其是微器件，如磁頭、計算機芯片等進行剖析；

利用選擇性腐蝕技術，選擇性地腐蝕金屬或絕緣體，增加器件結構的襯度，便于微器件的剖析；

對集成電路進行改性(IC modification)；

快速、高效地制備微器件的橫截面的透射電鏡樣品，該技術是目前其它截面電鏡樣品制備技術所無法比擬的；

（2）納米加工（Nano Lithography）:

利用納米離子束進行金屬、絕緣體的沉積，生成導電極片(conductive pads)，進行跡線連接 (connecting traces)，結合選擇性腐蝕技術，可制備納米器件，如單電子量子開關，納米場效應二極管；量子點的制備；量子線的制備及其量子輸運特性研究，及微機械結構(Micro- electromechanical structures, MEMS)的加工等。

ZEISS公司新推出的新一代聚焦離子束電子顯微鏡AURIGA是一臺高靈活性的CrossBeam工作站，它可以由客戶自主選擇應用目的。

獨特的成像能力

• 在有局部電荷中和器的條件下，可以使用所有的標準探測器進行非導體樣品的成像
• 在一個包括EsB技術的獨特探測器設計中，可同時探測形貌和組分信息。
• 具有GEMINI物鏡設計，可進行磁性樣品的研究

先進的分析能力

• 具有局部電荷中和器，可進行非導體材料的分析
• 具有15個附屬接口的多用途樣品室
• 的樣品室幾何設計，可同時安裝EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附屬設備

的處理能力

• 創新的FIB技術，具有別的分辨率
• 在FE-SEM實時監控整個樣品制備的過程中，具有高的分辨率
• 先進的氣體處理技術，用于離子束和電子束的輔助刻蝕和沉積

客戶自主選擇和未來的可擴展性

• 基于一種全面的模塊化的理念，AURIGA^TM CrossBeam^?工作站可以由客戶自行進行選擇，以滿足其今天以及未來的個性化應用。
• 從一個高性能的FE-SEM平臺出發，這個系統伴隨著廣泛的可選的硬件和軟件品種而升級，如：FIB,GIS,局部電荷中和系統和不同的探測器