BBO電光Q開關，KD*P電光Q開關，RTP電光Q開關，LiNbO3電光Q開關。

BBO電光Q開關（BBO普克爾盒）

BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數，弱的壓電振鈴效應，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優點。對于高平均功率及高重復頻率的Q開關和再生放大系統，BBO 普克爾盒是很好的選擇。與KD*P和LN晶體相比，雖然BBO晶體的電光系數小，半波電壓相對高，但它在高平均功率系統中開關的關斷性能更好。相對于RTP電光調制晶體，BBO晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度時應系，有利于提高激光輸出功率穩定性。因此，由BBO晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率（高達833KHz），高功率（高達900W）的電光調Q激光器，腔倒空調Q激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大系統中。由于電光Q開關的的關斷時間（<4ns）遠短于聲光Q開關的關斷時間（<100ns）。因此，采用BBO電光 Q開關的全固態短腔調Q激光器可產生脈沖寬度小于4ns的高能激光，是作為電光內雕機的光源。在無需水冷的情況下，BBO電光Q開關可關斷并承受高達150W的腔內震蕩光功率（激光輸出功率高達50W）。 

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