儀器簡介：
技術參數：
主要特點：
kSA BandiT是一種非接觸、實時譜帶吸收式半導體晶片溫度傳感器。它采用譜帶隨溫度變化的半導體材料,可以監測高溫計所不能測量的晶片溫度。
kSA BandiT成功地為MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上安裝了高、多晶片的溫度圖像系統。通過利用kSA BandiT溫度監控系統以及復雜的循環同步技術,這種新的方案能實時提供MBE生長過程中所有晶片的溫度分布全圖。
新的kSA BandiT多晶片溫度監控軟件結合了自動伺服馬達控制的掃描檢測功能,從而為獲得晶片和壓臺全面的實時溫度提供了強大的技術保證。
該系統是一種能給生長過程中晶片提供實時的二維溫度信息。對Wafer（及薄膜）表面溫度實時、非接觸、非入侵、直接的檢測；采用溫度和半導體材料對光的吸收邊沿（譜帶能量）相關性原理，即材料的本征特性，使得測量結果更為準確；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發系統等和熱處理、退火設備上，進行實時溫度檢測。
技術參數：
溫度范圍：室溫~1300攝氏度；
溫度重復性：0.2攝氏度；
溫度分辨率：0.1攝氏度；
穩定性：+/-0.2攝氏度；
主要特點：
*實時、非接觸、非入侵、直接的Wafer溫度監測；
*多基片/晶片表面2D溫度Mapping監測；
*真實的Wafer表面或薄膜溫度監測；
*整合了新的黑體輻射監測技術；
*沉積速率和薄膜厚度分析；
*表面粗糙度分析功能；
*測量激光波長范圍可選（例如：可見光波段、近紅外波段等）
*避免了發射率變化對測量的影響；
*無需沉積設備Viewport特殊涂層；
