一、EL的測試原理
晶體硅太陽電池外加正向偏置電壓，電源向太陽電池注入大量非平衡載流子，電致發光依靠從擴散區注入的大量非平衡載流子不斷地復合發光，放出光子；再利用CCD相機捕捉到這些光子，通過計算機進行處理后顯示出來，整個的測試過程是在暗室中進行，通過分析采集的圖像特種就能分辨出電池片和組件的潛在缺陷。
二、EL圖像分析
1.隱裂
硅材料的脆度較大，因此在電池生產強度決定于正向注入電流密度和少子擴散長度過程中，很容易產生裂片，裂片分兩種，一種是顯裂，另一種是隱裂。前者是肉眼可直接觀察到，但后者則不行。后者在組件的制作過程中更容易產生碎片等問題，影響產能。通過EL圖就可以觀測到。
2.斷柵
印刷不良導致的正面銀柵線斷開，EL圖中顯示為黑線狀。這是因為柵線斷掉后，從busbar上注入的電流在斷柵附近的電流密度較小，致EL發光強度下降。
3.燒結缺陷
一般而言，燒結參數沒有優化或設備存在問題時，EL圖上會顯示網紋印。采取頂針式或斜坡式的網帶則可有效消除網帶問題。
4."黑心"片
直拉單晶硅拉棒系統中的熱量傳輸過程對晶體缺陷的形成與生長起著決定性的作用。提高晶體的溫度梯度, 能提高晶體的生長速率, 但過大的熱應力極易產生位錯。 在“黑心”片的EL圖中可以清楚地看到清晰的旋渦缺陷, 它們是點缺陷的聚集, 產生于硅棒生長時期。此種材料缺陷勢必導致硅的非平衡少數載流子濃度降低，降低該區域的EL發光強度。
5."漏電"問題
在電池正面銀漿印刷時，由于硅片表面存在劃傷，漿料進入裂縫的pn結位置，分選的IV測試加12V反壓時，直接導致正面pn結燒穿短路。因此，EL測試時，該區域顯示為黑色。

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