法國中束流離子注入機
l 控制離子束流
l 控制加速電壓
l 占地小
l 操作簡單
l 運行成本低
l 自維護
l 適合于研發應用
l 適用于4”~6”晶片，小可用于1*1cm2樣品（室溫）
l 4”熱注入模式，溫度可達600度
l 2個帶有蒸發器的Freeman離子源，可使溫度達750度
l 1個Bernas離子源
l 的鋁注入能力
l 一個主氣箱，配有4個氣體管路；一個副氣箱，配有4個中性氣體管路
l 高價樣品注入能力
l 注入角0~15度
l IBS的矢量掃描系統
l 手動裝載/卸載用于標準注入和熱注入，自動25片cette 裝載用于標準腔室
l 遠程操作控制接觸屏（5米鏈接線纜）
l 輻射低于0.6usv/hour
l CE
工藝性能
l 2~210keV
l 束流：4”晶片100keV時，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
l 劑量范圍：1*1011*1018~at/cm2
內非均勻性：1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2
l 片間均勻性：1s ≤ 1 %
歡迎您的來電索取相關產品資料。
