HG-EM激光橢偏儀是針對光伏太陽能電池高端研發和質量控制領域推出的型多入射角激光橢偏儀。可廣泛應用于晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池等。
HG-EM激光橢偏儀用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n.也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系數k.典型納米膜層包括SiNx,ITO,TiO2,SiO2,A12O3,HfO2等。應用領域包括半導體、微電子、平板顯示等。
HG-EM激光橢偏儀融合多項科技技術,采用一體化樣品臺技術,兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品,并實現二者的輕松轉換。一鍵式多線程操作軟件,使得儀器操作簡單。
特點:
? 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量
? 原子層量級的高靈敏度和準確度
? 百毫秒量級的快速測量
? 簡單方便的儀器操作
? 一鍵式操作
技術指標:
項目 技術指標
儀器型號 HG-EM激光橢偏儀
激光波長 632.8nm(He-Ne Laser)
膜層厚度(1) 0.01nm(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
0.03nm(對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層)
折射率(1) 1x10-4(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
3x10-4(對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層)
單次測量時間 與測量設置相關,典型0.6s
結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有高的準確度)
激光光束直徑 1mm
入射角度 40°-90°可手動調節,步進5°
樣品方位調整 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品;
可測量156*156mm電池樣品上每個點
Z軸高度調節:±6.5mm
二維俯仰調節:±4°
樣品對準:光學自準直顯微和望遠對準系統
樣品臺尺寸 平面樣品直徑可達Φ170mm
兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品
的膜層測量范圍 粗糙表面樣品:與絨面物理結構及材料性質相關
光滑平面樣品:透明薄膜可達4000nm,吸收薄膜與材料性質相關
外形尺寸(長x寬x高) 887 x 332 x 552mm(入射角為90o時)
儀器重量(凈重) 25Kg
選配件 水平XY軸調節平移臺
真空吸附泵
軟件
?中英文界面可選
?太陽能電池樣品預設項目供快捷操作使用
?單角度測量/多角度測量操作和數據擬合
?方便的數據顯示、編輯和輸出
?豐富的模型和材料數據庫支持
注:(1):是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。








