FIB技術主要利用液態金屬離子源作為高電流密度的離子，其小離子束直徑可達幾個納米。因此可在納米水平上進行快速、準確的刻蝕納米加工。同時，利用配置的氣體注入系統（GIS）,可以對樣品進行納米尺度的金屬、緣體沉積，并可以對金屬、緣體材料進行選擇性腐蝕，因此在對集成電路進行改性、制備納米量子器件、納米集成電路，如單電子量子開關、納米場效應管，準一維納米結構的量子輸運研究，及剖析微器件的橫截面、電鏡樣品的制備等半導體、介觀物理研究領域，具有廣泛的應用。簡單綜合起來，FIB主要具有以下強大功能：
（1）對微器件進行減薄、剝蝕等解剖分析，
利用高電流密度的離子，可對微小樣品進行縱深切割、定向鉆孔。因此可對微器件，尤其是微器件，如磁頭、計算機芯片等進行剖析；
利用選擇性腐蝕技術，選擇性地腐蝕金屬或緣體，增加器件結構的襯度，便于微器件的剖析；
對集成電路進行改性(IC modification)；
快速、地制備微器件的橫截面的電鏡樣品，該技術是目前其它截面電鏡樣品制備技術所擬的；
（2）納米加工（Nano Lithography）:
利用納米離子束進行金屬、緣體的沉積，生成導電片(conductive pads)，進行跡線連接 (connecting trac)，結合選擇性腐蝕技術，可制備納米器件，如單電子量子開關，納米場效應二管；量子點的制備；量子線的制備及其量子輸運特性研究，及微機械結構(Micro- electromechanical structur, MEMS)的加工等。
ZEISS公司新推出的新一代聚焦離子束電子顯微鏡AURIGA是一臺高靈的CrossBeam工作站，它可以由客戶自主選擇應用目的。
的成像能力
- 在有局部電荷中和器的條件下，可以使用的標準探測器進行非導體樣品的成像
- 在一個包括B技術的探測器設計中，可同時探測形貌和組分信息。
- 具有GEMINI物鏡設計，可進行磁性樣品的研究
的分析能力
- 具有局部電荷中和器，可進行非導體材料的分析
- 具有15個附屬接口的多用途樣品室
- 的樣品室幾何設計，可同時安裝EDS,EBSD,STEM,WDS,SIMS等附屬設備
的處理能力
- 的FIB技術，具有別的分辨率
- 在FE-SEM實時監控整個樣品制備的過程中，具有高的分辨率
- 的氣體處理技術，用于離子束和電子束的輔助刻蝕和沉積
客戶自主選擇和未來的可擴展性
- 基于一種的模塊化的理念，AURIGATM CrossBeam?工作站可以由客戶自行進行選擇，以滿足其今天以及未來的個性化應用。
- 從一個的FE-SEM平臺出發，這個系統伴隨著廣泛的可選的硬件和軟件品種而升級，如：FIB,GIS,局部電荷中和系統和不同的探測器
AURIGATM基本規格 | ||
| SEM | FIB |
分辨率 | GEMINI鏡筒 1.0nm @15kV 1.9nm @1kV | Cobra column:<2.5nm @ 30kV Canion column:<7nm @ 30kV |
放大倍數 | 12X—1000kx | 300x—500kx |
束流 | 4pA—20nA(80nA可選) | 1pA—50nA |
加速電壓 | 0.1—30kV | 1.0—30kV |
發射源 | 熱場發射 | Ga液態金屬離子源（LMIS） |
氣體注入系統 | a) 5通道氣體注入器（Pt,C,W, l2,F,要求的其他氣體） b) 帶有集成式局部電荷中和器系統的4通道氣體注入器（可以使用的標準探測器） c) 單通道氣體注入器系統（Pt或要求的其他氣體） d) 全自動和氣動式可伸縮其他注入器（即局部電荷中和器）（可以使用的標準探測器） | |
探測器 | Ln-lens型：環形二次電子探測器 樣品室型：E-T二次電子探測器 Ln-column型：帶有過濾柵網的用于背散射電子探測的B探測器，柵網電壓0—1500V 樣品室型：基于閃爍體/光電系統的組合式二次電子二次離子探測器（SI）,固體式或閃爍體式BSE探測器 GEMINI?多模式BF/DF STEM探測器 | |
