貼片二三管:

主營品牌: ST ON NXP 長電 ROHM 東芝 MIC .

產品封裝:SOT-23 . SOT-89 . SOD-323 . SOD-123 . SOD-523 .LL34 . SMA . S .SMC

LED基礎知識

半導體發光器件包括半導體發光二管（簡稱LED）、數碼管、號管、米字管及點陣式顯示屏（簡稱矩陣管）等。事實上，數碼管、號管、米字管及矩陣管中的每個發光單元都是一個發光二管。

一、半導體發光二管工作原理、特性及應用
（一）LED發光原理
發光二管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向?截止、擊穿特性。此外，在條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光。

假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發合外，還有些電子被非發光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發光的復合量相對于非發合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發光的，所以光在靠近PN結面數μm以內產生。

理論和實踐證明，光的峰值波長&lada;與發光區域的半導體材料禁帶寬度Ｅg有關，即&lada;≈1240/Eg（mm）式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。現在已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二管，但其中藍光二管成本、價格很高，使用不普遍。

（二）LED的特性
1．限參數的意義
（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的值。，LED發熱、損壞。
（2）正向直流電流IFm：允許加的的正向直流電流。過此值可損壞二管。
（3）反向電壓VRm：所允許加的反向電壓。過此值，發光二管可能被擊穿損壞。
（4）工作環境m:發光二管可正常工作的環境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發光二管將不能正常工作，效率大大降低。