陶瓷電容基本參數(shù)

4.1.一類瓷：也叫做溫度補償型（Temperature Compensating Te），是專門設計并用在低損耗、電容量穩(wěn)定性高或要求溫度系數(shù)有明確規(guī)定的諧振電路中的一種電容器，例如，在電路中作溫度補償之用。該類陶瓷介質是由標稱溫度系數(shù)（α）來確定。其溫度系數(shù)有：NP0、N150、N220、N470、N750、SL等。

4.2.二類瓷：也叫做高介電常數(shù)型（High Dielectric Constant Te），是適用于作旁路、耦合或用在對損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中的具有高介電常數(shù)的一種電容器。該類陶瓷介質是以在類別溫度范圍內電容量非線性變化來表征。其溫度特性有：Y5P、X7R、Z5U、Y5V等。

4.3.三類瓷：也叫做半導體型（Semiconductor Te），是一種具有半導體特征的陶瓷電容器。該類電容器適用于作旁路和耦合之用。該類陶瓷介質是以在類別溫度范圍內電容量非線性變化來表征。其溫度特性有：Y5P、Y5R、Y5U、Y5V等。

4.4.電容量（minal Capacitance，簡寫為Cap.或C或C_R）：是指電容器設計所確定的和通常在電容器上所標出的電容量值；其單位為法拉(Farad，簡寫F)，由于F太大，故常用微法(UF)、微微法拉(PF)，其等式為：

1UF=10³NF=10⁶PF=10^-6F

4.5.容量誤差（Tolerance，簡寫成Tol.）：是指在設計與制造過程時，允許電容器的容量在標稱容量的某一些范圍內。在國際上，圓板陶瓷電容器常用的幾種誤差值如下：

C_R＜10pF：&plun;0.25PF；&plun;0.5PF。

C_R≥10pF：&plun;5%；&plun;10%；&plun;20%與+80/-20%。

4.6.額定電壓（Rated Voltage，簡寫成R.V.或U_R）：也稱之為工作電壓(Working Voltage)，是指在下限類別溫度和額定溫度之間的任一溫度下，可以連續(xù)施加在電容器上的直流電壓或交流電壓值或脈沖電壓的峰值。

本承認書所講述之電壓均為直流電壓，除非有注明。

貴公司若在使用或測試中有應用到交流電壓時，請事先通知我公司業(yè)務部或品管部。

4.7.耐電壓：也叫試驗電壓（Tt Voltage，簡寫成T.V.），它是以額定電壓的幾倍，加壓多少時間來表示供試驗電容的耐電壓的高低。

4.8.損耗角正切：也叫做散逸因素（Dissipation Factor，簡寫成D.F.或tanδ，簡稱損耗）；是指在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。損耗的倒數(shù)稱之為品質因素，即Q值(英文名為Q Value，簡寫為Q)

4.9.溫度特性（Temperature Characteristic，簡寫成T.C.）：是指在規(guī)定溫度范圍內，所出現(xiàn)的電容量可逆變化，一般此變化表示為相對25℃時電容量的百分比。

電容量的溫度系數(shù)英文為Temperature Coefficient of Capacitance；是指在規(guī)定的溫度范圍內測量的電容量隨溫度的變化率，通常用10^-6/℃或ppm/℃來表示。

電容量溫度循環(huán)漂移英文為Temperature Cyclic Drift of Capacitance；是指在規(guī)定的溫度循環(huán)次數(shù)完成期間或結束之后，在室溫下所觀測到的電容量的不可逆變化，這種不可逆變化通常是用與基準溫度有關的電容量的百分比，基準溫度通常是25℃。

4.10.類別溫度范圍：是指電容器在設計時所確定的能連續(xù)工作的環(huán)境溫度范圍，這里規(guī)定上限類別溫度和下限類別溫度，如下表：

2.試驗和測量環(huán)境要求

5.1.試驗狀態(tài)

                           5.1.1.試驗狀態(tài)定義：

a>       標準狀態(tài)：是指溫度15～35℃、相對溫度45～85%、氣壓860～1060mbar。

b>       判定狀態(tài)：是指溫度25&plun;2℃，相對濕度60～70%，氣壓860～1060mbar。

c>       基準狀態(tài)：是指溫度25℃，相對濕度65%，氣壓1013mbar。

                           5.1.2.試驗及測定環(huán)境要求：

無規(guī)定時，在標準狀態(tài)或判定狀態(tài)下進行試驗及測定。但如對標準狀態(tài)或判定狀態(tài)之測定值，一旦判定有疑問或在被要求之情形下，則須在基準狀態(tài)下進行。

在基準狀態(tài)測定或試驗有困難時，或在不產(chǎn)生判定疑問之前提下，在基準狀態(tài)以外的狀態(tài)下做試驗與測定亦可。

                           5.1.3.注意事項：

a>       在試驗及測定時，可以在以上三種狀態(tài)規(guī)定的任一種溫度下測量，相對濕度與氣壓均可為常濕(45～85%)與常壓(860～1060mbar)；但若對試驗與測定值有要求時則須在基測狀態(tài)指定的溫度下進行。

b>       在整個試驗過程的前后，對于供試驗電容器的測定有影響之日光或其它熱源幅射等因素，均要避免之。

c>       在整個試驗及測定過程中，為使試驗結果不致發(fā)生疑問，有須時，應對供試驗電容器置于測量溫度內30分鐘以上，并使之充分放電。

瓷片電容

一、特點
●尺寸小、耐壓可高可低。
●環(huán)氧樹脂包封或灌封，良好的潮性、阻燃性。
●介質損耗低、頻率特性優(yōu)良。

二、用途
●主要用于高壓直流電源電路，如激光機、X光機、加速器、空氣清新機等。
●彩電、彩顯的聚焦輸出電路，使圖像全屏幕聚焦優(yōu)良。
●用于電焊機及靜電噴涂設備。
三、技術指標(SPECIFICATIONS)