整流二管
rectifier diode
一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結，有陽和陰兩個端子。其結構如圖1所示。P區的載流子是空穴,N區的載流子是電子，在P區和N區間形成的位壘。外加使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流二管的單向導電性,其伏安特性和電路號如圖2所示。整流二管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二管高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二管主要用于各種低頻半波整流電路，如需全波整流需連成整流橋使用。
選用整流二管時，主要應考慮其整流電流、反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數
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