- 企業類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產地：濰坊
萊蕪光催化氧化設備參數//UV光解設備大量批發供應
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光催化氧化簡介
半導體光催化劑大多是n型半導體材料（當前以為TiO2使用廣泛 ） 都具有區別于金屬或絕緣物質的特別的能帶結構，即在價帶和導帶之間 存在一個禁帶。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg（eV） 的 關系，因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區域。當 光子 能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時，半導體的價帶電子發 生帶間 躍遷，即從價帶躍遷到導帶，從而產生光生電子（e-）和空穴 （h+）。此 時吸附 在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子， 而空穴將吸附在催化 劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超 氧負離子和氫氧自由基 具有很強的氧化性，能將絕大多數的有機物氧化 至終產物CO2和 H2O,甚至 對一些無機物也能徹底分解。
在光催化氧化反應中，通過紫外光照射在納米TiO2光催化劑上產生 電子空穴對，與表面吸附的水份（H2O）和氧氣（O2）反應生成氧化性很活波的qiang基自由基（OH-）和超氧離子自由基（O2-、0-）。能夠把各種廢 臭氣體如醛類、苯類、氨類、氮氧化物、硫化物及其它VOC類有機物、無 機物在光催化氧化的作用下還原成二氧化碳（CO2）、水（H2O）以及其它 無毒無害物質，同時具有除臭的功效，由于在光催化氧化反 應過程中無任 何添加劑，所以不會產生二次污染。
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