- 企業類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產地：深圳
華科智源研發生產半導體測試設備，提供ITC57300mos管IGBT功率器件動態參數測試儀，大功率IGBT到小功率管MOS的測試， 包括動態參數和靜態參數測試，雪崩能量測試以及熱阻測試， 索取相關資料和報價請聯系陳先生18
ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態參數測試設備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態參數的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態參數測試設備。
ITC57300動態參數測試系統主機可執行非破壞性的瞬態測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析，可執行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態測試。
ITC57300能力
ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態參數測試設備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態參數的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態參數測試設備。
ITC57300動態參數測試系統主機可執行非破壞性的瞬態測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析，可執行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態測試。
ITC57300能力
測試電壓：1200 VDC 200（短路電流可達1000A）
定時測量：為1 ns
漏電流限制監視器
- MOSFET開關時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開關時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A
測試標準：
- MIL-STD-750 Series
額外的電源供應器
額外的測試頭
大包裝適配器
ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關時間
ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
ITC57240 - 電感式開關時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479
很容易改變的測試頭
在不同參數的自動化測試
堅固耐用的PC兼容計算機
用戶友好的菜單驅動軟件
可編程測試出紙槽
電子表格兼容的測試數據
可選內部電感負載
GPIB可編程測試設備
四通道高帶寬數字示波器
脈沖發生器
1200V電源
測試頭高電壓互鎖
接收端的高電壓互鎖
高速漏極供電開關
