品牌：engis型號：
可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN
所屬系列：半導體加工設備-減薄拋光設備-研磨機
操作界面人性化，人機交流簡易
使用大粒徑研磨液將Wafer快速減薄
可以控制Wafer目標厚度，將Wafer減薄至接近目標厚度時，借助厚度控制夾具Wafer將懸空丌再被研磨，可以雙頭、單片、多片加工，適合研發、量產，可兼容多尺寸Wafer
設備的設計理念及特征
搭載開槽裝置的精密研磨設備EJW-400IFN 是采用高剛性機體和獨自開發的水冷式主
軸，經常保持的定盤溫度，并且可以在震動狀態下高旋轉。另外，由于采用
高的開槽裝置，設備可以經常維持穩定高的定盤平坦度進行加工。
主要規格：
1-1研磨設備
設備型號EJW-400IFN
研磨盤直徑外徑φ380mm；內徑φ140mm
定盤轉速10~350rpm 可調（軟起動/停機）
主電機200V 1.5Kw 3相
加壓方式自重加壓
工件固定方式通過使用陶瓷修正輪用滾軸手臂固定
主軸部分高剛性水冷主軸
尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含塵蓋高度
重量1000Kg（NET）
