品牌：Engis
化合物半導體（GaAs/InP）背面減薄工藝設備
應用領域：GaAs，InP
設備特點：
上蠟后將陶瓷盤放入壓片機真空腔內進行壓片，并將Wafer不陶瓷盤間隙內空氣排空
真空腔內設有硅膠墊，上片均勻性理想
配合冷水機使用，縮短上片時間
手動貼蠟機：
設備的設計理念及特征
將陶瓷盤加熱，在陶瓷盤上均勻涂上固體蠟，將InP 晶圓均勻粘貼在陶瓷盤上。
并將上部的沖壓頭靠氣缸壓力來壓著粘有晶片的陶瓷盤，讓InP 晶圓牢固粘貼在陶瓷盤上。
主要規格：
設備型號EBM-200-1AL-TC
粘貼壓力MAX 100kgf at 0.25MPa Silicon Pad
粘貼尺寸MAX OD 200mm
腔U/D 氣缸Pneumatic ram OD63 Stoke：170mm
腔真空真空發生器
冷卻不銹鋼水管套
時間控制真空和壓力
尺寸400mm（W）300mm（D）730mm（H）
重量約100kg
特點：
水冷系統用冷水機控制水溫
時間控制系統采用電動氣閥
真空腔用真空發生泵
硅膠加壓PAD 晶圓TTV，BOW，WARP 穩定性高
設備要求：
真空0.6 MPa
選配：
1，冷水機；2，加熱臺EC-1200N；3，ENGIS 固體蠟；4，陶瓷盤
上海瞻馳光電科技有限公司
免企業未認證證營業執照已上傳
掃一掃
進入手機店鋪
