詢價
- 是否安全：安全
- 是否全新：全新
- 是否封裝：紙箱
- 是否質保：質保
- 顏色：圖片色
參照標準：
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法-方法2直流兩探法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測定兩探法>>
參數 資料
1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.電導率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 測量±（0.05%讀數±5字）
5.測量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V 測量精度±（0.1%讀數）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續可調，
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%讀數±2字
8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導率值、溫度、單位自動換算、橫截面、高度、電流、電壓等.
9.溫度要求：23℃±1℃
10.電源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 測量平臺參數如下：
1）.可測硅芯、檢驗棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規格可定制）
2）.探頭探與試樣接觸位置重復，無橫向移動。
3）.兩探測試探。探頭間距1.59mm（其他規格可定制）；探機械游率：±0.3%。
4）.探直徑0.8㎜；探壓力總6-12N，探材料：鎢，
5）.探間及探與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐
12.標配外選購項：a.pc軟件1套；b.標準電阻1件；c.電腦和
參照標準：
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法-方法2直流兩探法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測定兩探法>>
參數 資料
1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.電導率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 測量±（0.05%讀數±5字）
5.測量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V 測量精度±（0.1%讀數）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續可調，
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA, ：±0.2%讀數±2字
8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導率值、溫度、單位自動換算、橫截面、高度、電流、電壓等.
9.溫度要求：23℃±1℃
10.電源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 測量平臺參數如下：電阻率測試儀電阻率測試儀電阻率測試儀電阻率測試儀
1）.可測硅芯、檢驗棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規格可定制）
2）.探頭探與試樣接觸位置重復，無橫向移動。
3）.兩探測試探。探頭間距1.59mm（其他規格可定制）；探機械游率：±0.3%。
4）.探直徑0.8㎜；探壓力總6-12N，探材料：鎢，
5）.探間及探與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐
12.標配外選購項：a.pc軟件1套；b.標準電阻1件；c.電腦和
