儀器采用了新雙電測法原理進行測量，該方法能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，從而提高了測量結果的準確度，使其達到±3％(目前國內四探針測試儀一般準確度為±5％)，使用本儀器測量時，由于不需要進行幾何邊界條件和探針間距的修正，因而對各種形狀的樣品材料有廣泛的適用性。本儀器由本所與北京工業大學共同研制。中國計量科學研究院監制。 用途：① 測量片狀單晶片體電阻率ρ； ② 測量離子注入片、擴散片、異型外延片及導電薄膜的方塊電阻R口； ③ 判斷被測材料局部不均勻度； 技術指標: 測量范圍 ① 電阻率：0.01-200Ω.cm(可擴展)； ② 方塊電阻：0．1-2000Ω／口(可擴展)； ③ 測量電阻率時，片狀樣品厚度 ≤3.0 cm； 可測晶片直徑，100 cm或200 cm。
廣州半導體材料研究所
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