磁控濺射領域新突破,實現磁控濺射方式的變革,為磁控濺射增添新的發展空間,是磁控濺射方式的新探索。
技術參數:
磁控濺射系統
4-6個磁控靶臺
DC源
RF源
Ar氣氣氛控制
真空度10^-10Torr
1"-4" Substrate
主要特點:
超高真空磁控濺射
全部配備國外先進泵組保證穩定的真空
穩定工作狀態
實現磁控濺射方式的分子級薄膜生長
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技術參數:
磁控濺射系統
4-6個磁控靶臺
DC源
RF源
Ar氣氣氛控制
真空度10^-10Torr
1"-4" Substrate