儀器簡介：
高效率微粒表面沉積系統包括先進的氣溶膠霧化發生、靜電分離及沉積技術，用于產生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標準晶片，用于研究不同折射稀疏對晶片檢測系統的影響并標定檢測系統，也可用于評價晶片干法/濕法清洗系統的性能。
技術參數：
顆粒沉積粒徑：
標準單DMA：0.08 – 1.0 µm
可選雙DMA：0.03 – 3.0 µm
主要特點：
通過DMA技術去處雙顆粒、三顆粒及其它雜質顆粒，使之不能沉積在芯片表面；
DMA測量經過溫度及壓力補償、使得產生可溯源NIST的PSL球標準芯片；
符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亞洲、歐洲及美國規范要求；
通過DMA沉積單一粒徑顆粒于芯片表面；
4個內置超聲波霧化發生器產生穩定、高濃度的氣溶膠；
每個芯片表面可沉積8個沉積點；
高效率微粒表面沉積系統包括先進的氣溶膠霧化發生、靜電分離及沉積技術，用于產生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標準晶片，用于研究不同折射稀疏對晶片檢測系統的影響并標定檢測系統，也可用于評價晶片干法/濕法清洗系統的性能。
技術參數：
顆粒沉積粒徑：
標準單DMA：0.08 – 1.0 µm
可選雙DMA：0.03 – 3.0 µm
主要特點：
通過DMA技術去處雙顆粒、三顆粒及其它雜質顆粒，使之不能沉積在芯片表面；
DMA測量經過溫度及壓力補償、使得產生可溯源NIST的PSL球標準芯片；
符合CE Mark、SEMI S2/S8/S14等亞洲、歐洲及美國規范要求；
通過DMA沉積單一粒徑顆粒于芯片表面；
4個內置超聲波霧化發生器產生穩定、高濃度的氣溶膠；
每個芯片表面可沉積8個沉積點；
