技術(shù)要求 典型數(shù)值在27°C
氧化層厚度10000A
輻射Vth靈敏度 輻射場= 0.05 MV/cm : 靈敏度= 2.4mV/rad輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.8mV/rad
(靈敏度在 1.5 krad(H2O)，在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA)
溫度補償
TVTC 15mV/°C(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.) 線性模式中Z.T.C. 數(shù)值~ -5µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 飽和模式中Z.T.C.數(shù)值~ -30µA
(使用以下讀寫器電路配置)
預(yù)輻射劑量計的特點
閾值電壓（外推） -17.2 +/- 0.4V Vth漂移時間（秒） 4mV(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強迫40µA，兩個中有一個因子會增大) 氧化層擊穿電壓>400V 溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 20 pA 亞閾值斜率-500 mV/decade 溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 1.95 Mohms 福坦尼斯亞洲有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動水樣核素活度監(jiān)測系統(tǒng)、同軸高純鍺探測器GCD系列（液氮致冷）、平面型高純鍺探測器GPD系列（液氮致冷）、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動式高純鍺譜儀（現(xiàn)場使用）、X γ射線高純鍺譜儀（電致冷）、流動式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。
