乾野電子成功的是利用自身能融匯貫通器件與工藝設計的技術優勢，專注與國際的8"芯片廠、封裝與測試廠的緊密合作，通過產品在生產和測試過程中的質量控制，大批量生產中，產品的持續優質和穩定供貨；同時專注于各產品的應用行業和領域的研究和并精通，使產品性能的利用化和優化。
| Produ Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
| N/P Voltage | Produ Name | Assembly | BVDSS Min(V) | ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | T | T | Max | T | Max | T | Max |
| 600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
| FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60 | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
| FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 | ||||||
場效應管的應用領域
場效應管是電場效應控制電流大小的單型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流小，具有輸入阻高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點，在大規模和規模集成電路中被應用。
場效應器件憑借其低功耗、性能穩定、輻射能力強等優勢，在集成電路中已經有逐漸取代三管的趨勢。但它還是嬌貴的，雖然多數已經內置了保護二管，但稍不注意，也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。
場效應管的工作原理
場效應管工作原理用一句話說，就是"漏-源間流經溝道的ID,用以柵與溝道間的pn結形成的反偏的柵電壓控制ID".更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏-源間所加VDS的電場，源區域的某些電子被漏拉去，即從漏向源有電流ID流動。從門向漏擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏-源間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏與門下部附近，由于漂移電場拉去的電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS（off），此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源的很短部分，這更使電流不能流通。
場效應晶體管（Field Effe Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、工作區域寬等優點，現已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
