操作模式
NMOS的漏電流與漏電壓之間在不同VGSVth的關系MOSFET在線性區操作的截面圖MOSFET在飽和區操作的截面圖依照在MOSFET的柵、源，與漏等三個端點施加的“偏壓”（bias）不同，一個常見的加強型（enhancement mode）N型 MOSFET有下列三種操作區間：截止或次臨限區（cut-off or sub-threshold region） 當柵和源間的電壓VGS（G代表柵，S代表源）小于一個稱為臨界電壓（threshold voltage,Vth）的值時，這個MOSFET是處在“截止”（cut-off）的狀態，電流無法流過這個MOSFET，也就是這個MOSFET不導通。但事實上當VGS>Vth、且VDS=0，一些擁有大量MOSFET的集成電路產品，如DRAM，次臨限電流往往會造成額外的能量或功率消耗。溫馨提示：
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