mos管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconduor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
| Produ Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
| N/P Voltage | Produ Name | Assembly | BVDSS Min(V) | ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | T | T | Max | T | Max | T | Max |
| 600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
| FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60 | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
| FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 | ||||||
Power MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)分別是源（S）、漏（D）和柵（G）。主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大。缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱緣柵雙晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)分別是集電（C）、發(fā)射（E）和柵（G）。特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V,集電飽和電流已過1500A.由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz.
乾野電子成功的是利用自身能融匯貫通器件與工藝設(shè)計(jì)的技術(shù)優(yōu)勢，專注與國際的8"芯片廠、封裝與測試廠的緊密合作，通過產(chǎn)品在生產(chǎn)和測試過程中的質(zhì)量控制，大批量生產(chǎn)中，產(chǎn)品的持續(xù)優(yōu)質(zhì)和穩(wěn)定供貨；同時(shí)專注于各產(chǎn)品的應(yīng)用行業(yè)和領(lǐng)域的研究和并精通，使產(chǎn)品性能的利用化和優(yōu)化。
