場效應管工作原理用一句話說，就是"漏-源間流經溝道的ID,用以柵與溝道間的pn結形成的反偏的柵電壓控制ID".更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏-源間所加VDS的電場，源區域的某些電子被漏拉去，即從漏向源有電流ID流動。從門向漏擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
| Produ Major INormation | VTH | Ron(10V)(mΩ) | Ron(4.5V) (mΩ) | Ron(2.5V) (mΩ) | |||||||||
| N/P Voltage | Produ Name | Assembly | BVDSS Min(V) | ID(A)25℃ | PW (W)25℃ | Vgs(V) | T | T | Max | T | Max | T | Max |
| 600V MOS系列 | FNK2N60AL | TO-220 | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | |||||
| FNK2N60BL | TO-220F | 600 | 2 | 54 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60 | TO-251 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK2N60DT | TO-252 | 600 | 1.9 | 44 | 30 | 3 | 4300 | ||||||
| FNK4N60AL | TO-220 | 600 | 4.4 | 106 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60BL | TO-220F | 600 | 4.4 | 33 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60DL | TO-252 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N60CL | TO-251 | 600 | 3.9 | 50 | 30 | 3 | 2800 | ||||||
| FNK4N65AL | TO-220 | 600 | 4 | 106 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK4N65BL | TO-220F | 600 | 4 | 34 | 30 | 3 | 3000 | ||||||
| FNK8N60AL | TO-220 | 600 | 7.5 | 50 | 30 | 3 | 1500 | ||||||
| FNK10N60AL | TO-220 | 600 | 9.5 | 156 | 30 | 3 | 870 | ||||||
MOSFET在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為類比訊號的開關（訊號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。MOSFET作為開關時，其源與漏的分別和其他的應用是不太相同的，因為訊號可以從MOSFET柵以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓負的一端就是源，PMOS則正好相反，電壓正的一端是源。MOSFET開關能傳輸的訊號會受到其柵-源、柵-漏，以及漏到源的電壓限制，如果過了電壓的上限可能會導致MOSFET燒毀。
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