產品參數：
品牌： ISSI
型號： IS61LV25616AL-10TL
封裝： TSOP44
批號： 2010+
類型： 通信IC
產品種類 SRAM
封裝-箱體 TSOP-II
工作電源電壓 3.3 V
存儲容量 4 Mbit
工作溫度 + 70 C
小工作溫度 0 C
類型 Asynchrous
訪問時間 10 ns
組織 256 K x 16
端口數量 Single
安裝風格 SMD/SMT
工作電流 100 mA
接口 TTL
SRAM主要用于二級緩存（Level2 Cache）。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。SRAM也有許多種，如AsyncSRAM （Asynchrous SRAM,異步SRAM）、Sync SRAM （Synchrous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM,流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。
基本的SRAM的架構如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器（decode），靈敏放大器（Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。
ISSI系列產品廣泛應用于數字消費電子領域，包括：DVD、DVR、調制解調器、機頂盒、復印機、打印機、手持掃描儀、手機、平板電腦、無線局域網及電腦的其他外圍設備。該系列產品包括DRAM、SRAM和串行EEOPROM,其中SDRAM產品容量從16M到256M,SRAM和EEPROM產品容量從1K至128K.
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SDRAM:1Mx16-4Mx16-8Mx16-16Mx16-2Mx32等等
NAND FLASH:16M-32M-64M-128M-256M-512M-1GB-2GB-4GB-8GB-16G等等、
SRAM:256K-512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M（64x16-256x8-256X16-128x16-512x8-512x16-1024x8-1024x16-2048x8）
R FLASH:512K-1M-2M-4M-8M-16M-32M-64M
