產品參數：
功率： 0.001
類型： 通信IC
頻率： 55
型號： IS62WV5128BLL-55HLI
批號： 2012+
用途： 影碟機
品牌： ISSI
電源電壓： 3.6V
封裝： TSOP32
產品種類 SRAM
封裝-箱體 STSOP-I
工作電源電壓 3.3 V
存儲容量 4 Mbit
工作溫度 + 85 C
小工作溫度 - 40 C
類型 Asynchrous
訪問時間 55 ns
組織 512 K x 8
端口數量 Single
安裝風格 SMD/SMT
工作電流 15 mA
接口 TTL
現將它的特點歸納如下：
◎優點：、速度快，不配合內存刷新電路，可整體的工作效率。
◎缺點：集成度低，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統以效率。
◎SRAM使用的系統：
○CPU與主存之間的緩存。
○CPU內部的L1/L2或外部的L2緩存。
○CPU外部擴充用的ST緩存。
○CMOS 146818芯片（RT&CMOS SRAM）。
SRAM主要用于二級緩存（Level2 C ache）。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。SRAM也有許多種，如AsyncSRAM （Asynchrous SRAM,異步SRAM）、Sync SRAM （Synchrous SRAM,同步SRAM）、PBSRAM （Pipelined Burst SRAM, 流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。
基本的SRAM的架構如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器（decode），靈敏放大器（Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。 SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。
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