厚度1.6mm封裝貼片電容1206/226K/10v/X7R
陶瓷積層貼片電容優勢與特性：
1．可以用做出小體積大容量的產品。
2。有助于生產效率，可以自動化生產。
3.使用貴金屬生產，高穩定性，，性好，壽命長。
4.可以替代CBB，鋁電解，使電子產品小型化，節省空間。產品更美觀，性能更。
5。陶瓷電容R小，可以用在部分高頻電路，產品工作效率更高。
高壓貼片電容的特性：
1. 利用貼片陶瓷電容器介質層的薄層化和多層疊層技術，使電容值大為擴大
2.單片結構有的機械度及性
3.高的度，在進行自動裝配時有高度的準確性
4.因有陶瓷和金屬構成，故即便在高溫，低溫環境下亦無漸衰的現象出現，具有較強性與穩定性
5.低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設計
6.殘留誘導系數小，的頻率特性
7.因電解電容器領域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造于具有高性的電源
8.由于R低，頻率特性良好，故適合于高頻，高密度類型的電源
2.
工作溫度范圍: -55～125℃
額定電壓: 100VDC～3000VDC
溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Cl I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Cl II）
容量范圍: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
緣電阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取兩者小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一個decade時間
介質電耐電壓： 100V ≤ V ＜500V :200%
額定電壓 500V ≤ V ＜1000V :150%額定電壓 1000v≤ V :120%額定電壓
介質耐電壓：100V-1000V范圍內，可承受1.5倍額定電壓。1000V以上：可承受1.2倍額定電壓。
電壓越高，所能做出的容量越低，生產周期4－6周
高壓貼片電容特性：
1.等效串聯電阻（R）小，阻（Z）低，與同等鉭電容或者鋁電解電容相比，R小幾十倍，能量利用率高，發熱小，價格低。
2.品種，規格，體積小。容量從10pF到47uF，耐壓從10V-6000V，體積小可以1X0.5mm.
3.無性，可以使用在存在高的紋波電路或交流電路，而且裝配更為方便。
4.性能穩定，即使被擊穿也不會燃燒，性高。
應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。
低容量電容NP0材料（10-6800pF）：適用頻率1-100MHz
1.溫度系數：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
2.電容量漂移：不過±0.3％或±0.05pF（取較大者）。
3.老化特性：無
高容量電容X7R材料（6800pF以上）：適用頻率不過10KHz
1.溫度特性：不過±15％，-55℃～125℃。
2.老化特性：每10年變化1％ΔC，表現為10年變化約5％。
工作溫度為環境溫度與元件本體溫升之和。
降額設計
設計者在選用電容器工作電壓時，應考慮施加在電容器兩端的直流電壓與交流電壓峰值之和不能過額定電壓。為產品及線路的性，在實際設計時建議降額使用
使用注意事項
工作溫度
電容器設計類別溫度范圍有?55℃～125℃、?55℃～85℃兩種，設計者須工作溫度合此范圍。為延長電容器的使用壽命，推薦工作溫度限制在低于上限類別溫度10℃～15℃。設計者考慮電容器的
高壓貼片電容用于:照明電源產品，高低頻無燈電源, 通訊電源交換機，LED日光燈恒流驅動電源,汽車HID燈(安定器),模塊電源、電源，LED阻容降壓,、ASDL語音分離器、RJ45以太網接口、數碼相機的閃光燈、LED圣誕燈,燈等以及各類電子產品中.
主要用于電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌保護IC,基本工作原理就是充電放電，當然還有整流、振蕩以及其它的作用。應用于電源電路，實現旁路、去藕、濾波和儲能
MLCC 制作工藝流程：
1、原材料——陶瓷粉配料關鍵的部分(原材料決定MLCC的性能)；
2、球磨——通過球磨機(大約經過2-3天時間球磨將瓷份配料顆粒直徑)；
3、配料——各種配料按照比例混合；
4、和漿——加添加劑將混合材料和成糊狀；
5、流沿——將糊狀漿體均勻涂在薄膜上(薄膜為特種材料，表面平整)；
6、印刷電——將電材料以規則印刷到流沿后的糊狀漿體上(電層的錯位在這個工藝上，不同MLCC的尺寸由該工藝)；
7、疊層——將印刷好電的流沿漿體塊依照容值的不同疊加起來，形成電容坯體版(具體尺寸的電容值是由不同的層數確定的)；
8、層壓——使多層的坯體版能夠結合緊密；
9、切割——將坯體版切割成單體的坯體；
10、排膠——將粘合原材料的粘合劑用390攝氏度的高溫將其排除；
11、焙燒——用1300攝氏度的高溫將陶瓷粉燒結成陶瓷材料形成陶瓷顆粒(該過程持續幾天時間，如果在焙燒的過程中溫度控制不好就容易產生電容的脆裂)；
12、倒角——將長方體的棱角磨掉，并且將電露出來，形成倒角陶瓷顆粒；
13、封端——將露出電的倒角陶瓷顆粒豎立起來用銅或者銀材料將斷頭封起來形成銅(或銀)電，并且鏈接粘合好電版形成封端陶瓷顆粒(該工藝決定電容的)；
14、燒端——將封端陶瓷顆粒放到高溫爐里面將銅端(或銀端)電燒結使其與電版接觸縝密；形成陶瓷電容初體；
15、鍍鎳——將陶瓷電容初體電端(銅端或銀端)電鍍上一層薄薄的鎳層，鎳層要覆蓋電端銅或銀，形成陶瓷電容次體(該鎳層主要是屏蔽電銅或銀與外層的錫發生相互滲透，導致電容老衰)；
16、鍍錫——在鍍好鎳后的陶瓷電容次體上鍍上一層錫想成陶瓷電容成體(錫是易焊接材料，鍍錫工藝決定電容的可焊性)；
17、測試——該流程測的四個指標：耐電壓、電容量、DF值損耗、漏電流Ir和緣電阻Ri(該工藝區分電容的耐電壓值，電容的度等)
