深圳市三經偉創實業發展有限公司研發生產的晶體管測試分選機，是國內無落料等待，機械，測試系統一體化，率、高的自動化產品。直線送料采用無振動皮帶傳送,速度可達1000PCS/MIN.測試.落料采用分割器圓盤結構,速度可達250PCS/MIN。經測試后不同參數的晶體管,落入事先設定的落料箱.該分選機機械運行穩定,故障率底。測試系統是本公司與日本某公司合作研發的新成果,測試功能.其測試、穩定性及兼容性高于目前市場上普遍使用的日本測試系統。該套設備每小時產能可15K,成為該行業的產品。
機械工作原理
測試產品范圍：to-92 to-126 to-220 to-251 to-252 to-
被測試元件通過振動盤振動送料,進入無振動直線送料系統,經入料夾傳送至分割器圓盤夾。在測試工位經過測試后,再由圓盤夾傳送至相應的落料口,氣缸開夾落料,被測試元件經落料管道進入指定的分料箱.測試不良的,進入廢料箱。
機器特點
一、 平送送料采用皮帶傳送,無振動,速度快,穩定。
二、 圓盤式夾料爪采用分割器傳動,精準、穩定,故障率低。
三、 功能測試要兩道測試工位,耐高壓,測試結果。
四、 測試分類可選擇性高,共28個分料箱,可設置27個分類。
五、 經測試過的不同參數元件經過相應的落料管道進入分料箱,無落料等待時間,高的了工作效率。
六、 本設備適用測試范圍:TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126、TO-220、TO-251、TO-252、TO-220、TO-等封裝類型的分立器件分選測試、兼容。
七、 測試系統除測試電壓,電流等基本參數外,還可測試熱阻,T/S值,IC測試電流20A。
八、 觸摸式平板電腦操作系統,無鍵盤,無鼠標.操作簡單,數據集中。
技術參數
機械尺寸:1068LX580WX1050H(mm)
機械重量:約150Kg
工作電壓:220V 50/60HZ
功率:約1KW
使用氣壓:4-5Kg/
BS-1000晶體管測試系統是按國際有關晶體管測試原理和實驗方法標準---GB4587、GB12300.G128A及行業標準SJ/T10415設計制造的,它采用的微機控制技術,在測試中能對測試條件自行設定,測試結果自動分檔,自動統計及自動加功率(加溫)測試。其測試擊穿電壓可達100V,IC測試電流達20A。系統還能測定BVceo、BVcbo的軟硬擊穿特性及HFE的線性度K,對HFE、Vces和BVceo等主要參數可用三個不同測試條件性完成測試。本系統還可測試晶體管重要的額定電流指標參數IC及△Vbe、Rth等功率性能參數。系統可測N、PNP和達林頓晶體管,還可測可控硅(THYRISTOR)。場效應管(VDMOS)、二管和穩壓管。本系統充分考慮了器件生產企業的要求,實現高穩定、度、高三大特點,一臺測試系統可以同時連接5臺機械手工作,是一臺大的晶體管綜合測試系統。
工作原理
系統由微機控制程控電壓源、程控電壓源,取樣電路和切換電路組成。微機根據設定條件自動調整程控源,施加于被測晶體管.再由采樣電路采樣,經A/D轉換于微機顯示。
使用條件
溫度:10~30℃
相對濕度:20%~75%RH(30℃時)
大氣壓力:86~106Kpa
工作電源:220V±10%AC,50Hz±10%周圍無強電源干擾。
技術指標
1、程控電壓 / 電流源IⅡ，（PMU1，PMU2） ±0.1%
a.電壓：±0~20.000V 16位D / A轉換、16位A / D采樣、量程自動切換
b.電流：±0~2.0000A 16位D / A轉換、16位A / D采樣、量程自動切換
2、程控電壓 / 電流源（DPS） ±0.5%
a.電壓： 0~30.00V 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
b.電流： 0~20.00A 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
3、程控高壓源： （DDS） ±0.5%
a.電壓：20~1000V 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
b.電流：0~20.00mA 12位D / A轉換、 16位A / D采樣、量程自動切換
測試參數
4.1、擊穿電壓測試(BVcbo,BVceo)：
a.測試條件：IC(IR) < 20mA，
b.測試范圍：0~1000V
c.精 度：<±（1% + 1di）
4.2、 擊穿電壓測試(BVebo)：
a.測試條件： Ib < 50mA
b.測試范圍： 0~20V
c.精 度：<±（0.1% + 1di）
5、漏電流測試
a.測試條件：Vcb、Vce、Vr：0~1000V，Veb≤20V
b.測試范圍：0.01uA~10mA
c.精 度：<±（1%+1di）
6、HFE測試
a.測試條件：IC≤20A，Vce=1~30V，Ib=1uA~2A
b.測試范圍：≥3
c.精 度：<±（1%+1di）
7、Vbe、VF測試
a.測試條件：Ie（IF）≤1.0000A
b.測試范圍：0~20.000V
c.精 度：<±（0.1%+2di）
8、Vces、Vbes、Vbef、Vdf、VTM測試
a.測試條件：IC≤20A Ib≤1.0A Vce=1~30V
b.測試范圍：0~30.000V
c.精 度：<±（1%+1di）
9、△Vbe、△Icbo、△HFE測試
a.加溫功率PT：1W~100W IC（Ie）≤5A Is≤0~100mA
b.加功率時間： TP=0~1000ms Td=100~300us
c.精 度：<±（1%+2i）
