采用兩只單相可控硅芯片反并聯輸出,具有較高的dv/dt的承受能力,
控制方式有直流控制交流,交流控制交流,過觸發。直流輸入信號與TTL和CIMS數字邏輯電路兼營。
輸入與輸出回路之間光電隔。
發光二管指示工作狀態。
采用德國設備和優質DBC陶瓷片,“真空+氫氣保護”焊接技術。
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采用兩只單相可控硅芯片反并聯輸出,具有較高的dv/dt的承受能力,
控制方式有直流控制交流,交流控制交流,過觸發。直流輸入信號與TTL和CIMS數字邏輯電路兼營。
輸入與輸出回路之間光電隔。
發光二管指示工作狀態。
采用德國設備和優質DBC陶瓷片,“真空+氫氣保護”焊接技術。