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肖特基二管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，D是肖特基勢壘二（SchottkyBarrierDiode,縮寫成D）的簡稱。D不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，D也稱為金屬－半導體（接觸）二管或表面勢壘二管，它是一種熱載流子二管。
肖特基二管肖特基（Schottky）二管，又稱肖特基勢壘二管（簡稱D），它屬一種低功耗、速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間短（可以小到幾納秒），正向導通壓降0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二管、續流二管、保護二管，也有用在微波通信等電路中作整流二管、小信號檢波二管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。
肖特基（Schottky）二管的特點是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要考慮。
