S8050晶體管（NPN）  品牌：長電                          

采用SOT - 23塑料封裝晶體管

特征

集電電流:  Ic=0.5A        芯片標記: J3Y    

額定值（Ta = 25℃除非另有說明）

號   參數值            單位

VCBO     Collector-Base Voltage    40  V     集電基電壓

VCEO  Collector-Emitter Voltage  25  V    集電發射電壓

VEBO  Emitter-Base Voltage  5  V             發射基電壓

IC  Collector Current –Continuous   0.5  A  集電電流連續

PC  Collector Dissipation   0.3  W               集電耗散

Tj  Junction Temperature  150  ℃                結溫

Tstg  Storage Temperature  -55-150  ℃       儲存溫度

電氣特性

參數      號    測試條件    數值 （Tamb = 25℃除非另有說明）

Collector-base breakdown voltage    V(BR)CBO  IC= 100μA, IE=0    40V    集電基擊穿電壓

Collector-emitter breakdown voltage    V(BR)CEO IC=1mA, IB=0    25V 集電發射擊穿電壓

Emitter-base breakdown voltage  V(BR)EBO  IE=100μA, IC=0     5V 發射基擊穿電壓

Collector cut-off current      ICBO  VCB=40 V ,    IE=0   0.1  μA   集電截止電流

Collector cut-off current      ICEO  VCB=20V ,  IE=0   0.1  μA       集電截止電流

Emitter cut-off current      IEBO VEB= 5V ,      IC=0   0.1  μA  發射截止電流

DC current gain  直流電流增益

HFE(1)   VCE=1V,  IC= 50mA  120-350 

HFE(2)   VCE=1V,  IC= 500mA  50      

Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA   0.6V 集電發射飽和電壓

Base-emitter saturation voltage  VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA     1.2V   基發射飽和電壓

Transition  frequency（ fT）      VCE=6V,  IC= 20mA   f=30MHz    150MHz   轉換頻率

放大倍數范圍： 120-200（L）   200-350（H）

SOT-23    腳位：

1．  基   2.發射   3．  集電