號

Symbol

名    稱

Charaeristics

額定值

Rating

單位

Vcbo

集電—基電壓

Colletor-Base Voltage

40

V

Vceo

集電—發射電壓

Colleltor-Emitter Voltage

30

V

Vebo

發射—基電壓

Emitter-Base Voltage

6

V

Ic

集電電流

Colletor Current

3000

mA

Pc

集電功率耗散

Colletor Dissipation

1250

mW

Tj

結   溫

Junion Temperature

150

℃

Tstg

貯存溫度

Storage Temperature

-55-150

℃

號

Symbol

名    稱

Charaeristsics

測試條件

Test Conditions

小值

Min

特征值

T

值

Max

單位

Unit

Bvcbo

集電—基擊穿電壓

Colleor-Base BreakdownVoltage

Ic=100μA, Ie=0

40

V

BVceo

集電—發射擊穿電壓

Colleor-Emitter Breakdown Voltage

Ic=5mA, Ib=0

30

V

Bvebo

發射—基擊穿電壓

Emitter-Base Breakdown Voltage

Ie=100μA, Ic=0

6

V

Icbo

集電—基截止電流

Colleor-Base Cutoff Current

Vcb=40v, Ie=0

0.1

μA

Iebo

發射截止電流

Emitter Cutoff Current

Veb=5v, Ic=0

0.1

μA

HFE

直流電流增益

DC Current Gain

Vce=2v, Ic=1A

60

400

Vces

集電—發射飽和壓降

Colleor-Emitter Sateration Voltage

Ic=2A, Ib=200mA

0.3

0.5

V

Vbes

基—發射飽和壓降

Base -Emitter Sateration Voltage

Ic=2A, Ib=0.2A

2.0

V

Ft

特征頻率

Gurrent Gain-Bandwidth Produ

Vce=5v,Ic=5mA

50

300

MHz