我以NPN三管為例為你說明三管的原理：
先三管是由兩個P-N結夠成，NPN三管就是兩頭是N型，中間是P型。N端為電子端，P端為空穴端
在制造三管時，要把發射區的N型半導體電子濃度做的很大，基區P型半導體做的很薄，當基的電壓大于發射電壓（硅管要大0.7V，鍺管要大0.3V）而小于集電電壓時，這時發射區的電子進入基區，進行復合，形成IE；但由于發射區的電子濃度很大，基區又很薄，電子就會穿過反向偏置的集電結到集電區的N型半導體里，形成IC；基區的空穴被復合后，基的電壓又會進行補給，形成IB。
鄧程寶
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