集電-基電壓=60V
集電-發射電壓=50V
發射-基電壓=5V
集電電流=0.15A
集電-耗散功率=0.4W
結溫；150度
存儲溫度：-55TO150度
半導體三管又稱“晶體三管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區（或P區）叫基區，兩邊的區域叫發射區和集電區，這三部分各有一條電引線，分別叫基B、發射E和集電C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。
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