快恢復二管FRD（Fast Recovery Diode）是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。快恢復二管SRD （Superfast Recovery Diode），則是在快恢復二管基礎上發展而成的，其反向恢復時間trr值已接近于肖特基二管的指標。它們可廣泛用于開關電源、脈寬調制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流二管或整流管，是有發展前途的電力、電子半導體器件。
1．性能特點
（1）反向恢復時間
反向恢復時間tr的定義是：電流通過點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢復電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向恢復電流。Irr為反向恢復電流，通常規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流降低，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件過反向電流IR，并且IR逐漸；在t=t2時刻反向恢復電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時刻規定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似之處。
（2）快恢復、快恢復二管的結構特點
快恢復二管的內部結構與普通二管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，不大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。快恢復二管的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可幾十納秒。
20A 以下的快恢復及快恢復二管大多采用TO-220封裝形式。從內部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內部包含兩只快恢復二管，根據兩只二管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C 20-04型快恢復二管（單管）的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）快恢復二管的外形與構造。它們均采用TO-220塑料封裝，主要技術指標見表1。
幾十安的快恢復二管一般采用TO-金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
