上海朗研光電科技有限公司
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探測效率 > 65 % @ 700nm
暗記數 200 ~ 2000 cps
后脈沖 3 ~ 5%
時間抖動 300 ~ 500 ps
工作溫度 -15 ~ 45 ℃
雪崩光電二管工作在蓋格模式時，區加載了高的電場，使得進入區的單個載流子可以激發自特性的雪崩過程，增益過10-6，從而可以探測單個光子。我們設計了的主動抑制電路，實現連續的單光子探測，并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實現了20dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發揮到狀態。探測器532nm波段的探測效率過50%。適合熒光標記、激光測距、相關探測等多種應用。
