- 品牌/商標：武漢中科宇晶光電Coreoptronics
武漢中科宇晶光電是一家國際的BBO晶體供應商:
§ 優質的產品售前服務(的工程師根據客戶具體應用需求推薦相應的BBO晶體，接受客戶不同規格尺寸的BBO晶體定制)；
§ 優質的產品售后服務(快捷的退換貨服務和產品1年保修保證)；
§ 供應大尺寸的BBO晶體(鍍制增透膜AR coating或保護膜P-coating)；
§ 供應BBO晶體超薄片(鍍制增透膜AR coating或保護膜P-coating)；
§ 根據客戶需要為BBO晶體安裝支架；
§ 用于電光應用(e/o)的鍍金BBO晶體；
§ 有競爭力的價格及交期
公司不僅能給您提供性價比的產品，還有的工程師為您提供產品售前售后服務，歡迎隨時來電或email垂詢！
描述：
BBO晶體(β-BBO，β相偏硼酸鋇晶體，β-BaB2O4 )是具有綜合優良性能的非線性光學晶體，其寬透明范圍和相匹配范圍，大的非線性系數，高的抗光損傷閾值、寬溫度帶寬以及優越的光學均勻性，為各種非線性光學應用提供了實際可能性。目前國際上主要用于將800nm左右鈦寶石激光器倍頻至400nm左右紫外光，和一些皮秒飛秒脈沖工業激光器的倍頻以及OPO系統，電光開關等。
BBO晶體的主要特點：
可實現相位匹配的波段范圍寬(409.6—3500nm);
寬透明范圍(190—3500nm);
倍頻轉換效率高(相當于KDP晶體的6倍);
高損傷域值(100ps脈寬的1064nm 10GW/cm2);
光學均勻性好(dn10-6);
溫度接收角寬(≈55℃左右);
機械，物理性能好.
BBO晶體的主要應用：
Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍頻;
染料激光器和鈦寶石激光器的二、三倍頻及和頻;
光學參量放大器(OPA)與光學參量振蕩器(OPO);
氬離子，紅寶石和Cu蒸汽激光器的倍頻.
化學和結構特性:
| 晶格結構 | 三角晶系, 空間群 R3c |
| 晶格參數 | a=b=12.532, c=12.717 , z=6 |
| 熔點 | 約1095℃ |
| 莫氏硬度 | 4 |
| 密度 | 3.85g/cm3 |
| 導熱性 | 1.2W/m/K(┴c): 1.6w/m/K(//c) |
| 熱膨脹系數 | α,4x10-6/K; c,36x10-6/K |
光學以及非線性光學特性:
| 透光范圍 | 190-3500nm |
| 二次諧波可匹配范圍 | 409.6-3500nm(Type I) |
| 525-3500nm(Type II) | |
| 熱透鏡系數(/℃) | dno/dT=-9.3x 10-6/℃ |
| dne/dT=-16.6x 10-6/℃ | |
| 吸收系數 | <0.1%/cm @ 1064nm |
| <1%/cm @ 532nm | |
| 接受角 | 0.8mrad-cm(θ, Type I,1064 SHG) |
| 1.27mrad-cm (θ, Type II,1064 SHG) | |
| 工作溫度 | 55℃-cm |
| 光譜范圍 | 1.1nm-cm |
| 走離角 | 2.7° (Type I 1064 SHG) |
| 3.2° (Type II 1064 SHG) | |
| 非線性系數 | deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-22sin3Φ)cosθ |
| deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ | |
| 非零非線性磁化系數 | d11=5.8xd36(KDP) |
| d31=0.05xd11 | |
| d22<0.05xd11 | |
| 塞耳邁耶爾方程(λ in μm ) | no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2 |
| ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2 | |
| 電光系數 | r11=2.7pm/V, r22, r 31<0.1γ11 |
| 半波電壓 | 48Kv (at 1064nm) |
| 電阻率 | >1011 ohm-cm |
| 相關介電常數 | εs11/so:6.7 |
| εs33/εo:8.1 | |
| Tan δ<0.001 |
BBO晶體的產品規格：
| 尺寸公差 | (W±0.1mm) x ( H±0.1mm) x (L+0.2mm/-0.1mm) |
| 角度公差 | Δθ< 0.25°, Δφ< 0.25° |
| 平面度 | λ/10 @ 633nm |
| 波前畸變 | < λ/8 @ 633nm |
| 表面光潔度 | 10/5 scratch/dig |
| 平行度 | < 20 arc seconds |
| 垂直度 | < 5 arc minutes |
| 通光孔徑 | ≥中心直徑95% |
| 倒邊 | x 45°±5°chamfer |
| 鍍膜 | R < 0.2% @ 1064nm, R < 0.5% @ 532nm |
| 損傷閾值(AR鍍膜) | >0.5 GW/cm2 for 1064nm,TEM00,10ns,10HZ |
| >0.3 GW/cm for 532nm,TEM00,10ns,10HZ |
注：武漢中科宇晶光電可接受客戶不同尺寸規格的BBO晶體定制，也可根據客戶具體應用需求推薦相應的BBO晶體。
