- 企業類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產地：成都
IBE350干法刻蝕設備，該刻蝕設備在半導體行業中占據著至關重要的地位，可以實現納米級的精密刻蝕。對復雜微結構的器件加工，微電子器件的制造提供重要支持，在芯片領域發揮著關鍵作用。
設備尺寸：1200*1500*1800mm。
極限真空：優于≤8.0×10-5Pa。
樣品尺寸：6英寸向下兼容。
刻蝕類型：物理刻蝕。
刻蝕氣體：Ar、O2。
刻蝕氣體流量：0~100sccm。
離子源類型：考夫曼直流離子源，角度可調。
成都超邁光電科技有限公司，為國家高新技術企業、國家標準擬定單位、創新型中小企業、省專精特新企業、新經濟雙百企業，已通過GB/T與GJB雙體系認證。
公司致力于真空鍍膜、等離子刻蝕、人工晶體材料和特殊裝備的技術提升，具有全系列涂層服務裝備和檢測手段，已申請國家專利60余項，授權專利與軟件著作權50余項，擬定國家標準2項，行業標準1項，為中國物理學會固體缺陷專家委員單位，全國電熱裝備標準化委員會單位，已形成工業級、科研級和特殊級三大產品系列，公司在南充高新區(順慶高新區)建有超邁智能產業園，一期已完成3.5萬平方米廠房和配套辦公生活設施建設，具備強大的研發和制造能力。
