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核心技術外溢，產業化再突破｜依托高端爐管技術積淀，山東力冠年度磷化銦長晶設備訂單突破千臺

2026-06-17

2026年上半年，山東力冠磷化銦長晶設備訂單突破千臺量級，實現大批量訂單持續落地、穩步交付，是公司核心爐管技術跨賽道賦能的標志性成果。

一、企業核心根基

深耕半導體高端裝備領域十四載，山東力冠微電子裝備有限公司始終以高端薄膜沉積、熱處理爐管裝備為核心主業，長期攻堅半導體集成電路核心裝備自主化，重點推進12英寸高端爐管設備國產化替代，是公司技術迭代、產品升級與產業戰略布局的核心根基。

歷經十四年高端爐管裝備研發、結構設計與大批量量產工藝沉淀，公司自主掌握高精度閉環控溫、超高真空調控、微量氣氛精準配比三大底層核心技術。這套經過長期上機驗證、穩定性極強的精密控制系統，不僅支撐高端硅基集成電路制程，更是第二代化合物半導體單晶生長裝備的同源技術底座，為公司跨賽道技術賦能、產業化延伸奠定了堅實基礎。

二、產業化突破邏輯

伴隨人工智能大模型、超算算力網絡、AI數據中心集群高速擴張，全球算力基礎設施迎來爆發式迭代。800G、1.6T乃至未來3.2T超高速光模塊全面普及，磷化銦作為第二代化合物半導體核心基材，已然成為AI算力時代不可替代的戰略性底層材料。

不同于硅基材料無法高效光電轉換的物理局限，磷化銦具備超高電子遷移率、近100%光電轉換效率，是高端光模塊激光器、探測器、高速光互聯芯片的唯一量產襯底材料，支撐AI算力中心海量數據的超低延遲、超高速傳輸，是當前算力產業鏈最核心、最緊缺的上游剛需資源，也是國內AI算力基礎設施自主可控的關鍵突破口。而磷化銦單晶生長對設備溫場均勻性、真空度穩定性、氣流精準控制的嚴苛工藝要求，與山東力冠深耕多年的高端爐管精密控制體系高度同源、完美契合。依托同源核心技術的深度賦能，公司在化合物半導體高端裝備賽道實現跨越式產業化突破：2026年度，公司磷化銦長晶設備訂單已突破千臺量級，大批量訂單持續落地、規模化交付穩步推進。專注服務于AI算力光模塊配套光芯片制造領域，目前已成長為國內磷化銦襯底生長設備領域核心供應商。憑借成熟的爐管精密控制技術體系，我司磷化銦長晶設備溫場一致性高、真空系統穩定性強、晶體生長良品表現優異，量產穩定性高，完全適配AI高速光通信產業鏈的大規模工業化量產需求。

三、企業差異化競爭力

區別于行業單一設備制造廠商，山東力冠具備高端集成電路裝備自研 + 化合物半導體工藝協同驗證雙重核心能力。公司長期與下游光電、算力企業深度綁定，結合AI光電器件量產工況持續迭代設備結構與智能控制算法，經過數萬小時上機實測，設備工藝成熟、性能可靠，獲得行業客戶批量采購與高度認可。

四、全譜系產業布局

本次千臺級磷化銦長晶設備訂單落地，是公司高端爐管核心技術跨領域外溢、跨賽道突破的標志性成果，充分驗證了公司溫控、真空、氣氛三大底層技術的通用性、先進性與行業壁壘優勢。

立足扎實的主業技術底盤，公司已完成二代、三代、四代化合物半導體裝備全梯隊戰略布局：

二代半導體：磷化銦、砷化鎵長晶裝備，已實現千臺級規模化商用落地，深度配套AI高速光通信產業

三代半導體：碳化硅大尺寸長晶裝備、氮化鎵HVPE外延裝備持續迭代，穩步推進新能源、射頻、功率半導體商業化

四代半導體：氧化鎵長晶及成套外延裝備取得關鍵技術突破，提前布局下一代超寬禁帶半導體賽道

公司現已形成主業筑牢基本盤、新賽道多點突破的高質量產業發展格局。

五、未來發展規劃

未來，山東力冠將持續堅守高端半導體裝備核心主業，持續攻堅12英寸高端爐管、薄膜沉積裝備國產化，補齊國內集成電路核心裝備短板，搶抓國產替代黃金機遇。同時依托通用型底層核心技術，持續深化與AI光通信、算力網絡、高端光電領域客戶的戰略合作，持續迭代磷化銦第二代半導體裝備性能，加速推進三代、四代化合物裝備市場化落地。實現硅基集成電路主業 + 化合物光電算力裝備雙輪驅動，持續賦能國內半導體、高端光電、AI算力全產業鏈自主可控，為中國高端半導體裝備國產化、算力基礎設施底層建設持續輸出硬核力量。

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