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產品應用/Product Applications： ?適用領域：單晶生長 Relevant Industries:Single Crystal Growth ?適用材料：Ga2O3、GaAs等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide),GaAS(Gallium Arsenide), etc. ?晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch 技術指標/Technical Indicators： ?制程溫度范圍：2200°C Process Temperature Range：2200°C ?加熱方式：感應/電阻 Heating Method:Induction/Resistance
適用領域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圓尺寸:? 8/6 英寸 Wafer Size: 8/6? inch
適用領域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圓尺寸:8/6 英寸 Wafer Size: 8/6 inch
適用領域：單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?SiC、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch