工作原理

　　晶體三管（以下簡稱三管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三管，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源性不同外，其工作原理都是相同的，下面介紹NPN硅管的電流放大原理。

　　對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射e、基b和集電c。

　　當b點電位高于e點電位點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電電源Ec要高于基電源Ebo。

　　在制造三管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射電流了。

　　由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基電源Eb重新補給，從而形成了基電流Ibo.根據電流連續性原理得：

Ie=Ib+Ic

　　這就是說，在基補充一個很小的Ib，就可以在集電上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持的比例關系，即：

β1=Ic/Ib

　　式中：β1--稱為直流放大倍數，

　　集電電流的變化量△Ic與基電流的變化量△Ib之比為：

β=△Ic/△Ib

　　式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。

　　三管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三管的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。

三管，全稱應為半導體三管，也稱雙型晶體管,晶體三管,是一種電流控制電流的半導體器件.其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號,也用作無觸點開關。

工作原理

　　晶體三管（以下簡稱三管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三管，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源性不同外，其工作原理都是相同的，下面介紹NPN硅管的電流放大原理。

　　對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射e、基b和集電c。

　　當b點電位高于e點電位點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電電源Ec要高于基電源Ebo。

　　在制造三管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射電流了。

　　由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基電源Eb重新補給，從而形成了基電流Ibo.根據電流連續性原理得：

Ie=Ib+Ic

　　這就是說，在基補充一個很小的Ib，就可以在集電上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持的比例關系，即：

β1=Ic/Ib

　　式中：β1--稱為直流放大倍數，

　　集電電流的變化量△Ic與基電流的變化量△Ib之比為：

β=△Ic/△Ib

　　式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。

　　三管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三管的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。