NA MASTER(那諾-馬斯特)提供的ALD系統(tǒng)可沉積陷的薄膜，是高介電常數(shù)材料的理想選擇，主要型號包含NLD-3500，NLD-4000。此外，我們可以提供的等離子增強ALD的產(chǎn)線解決方案。

原子層沉積系統(tǒng)

        原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。

        NA-MASTER(那諾-馬斯特)NLD-4000是一款的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)，帶Labview軟件，具備四級控制的用戶授權(quán)保護功能。系統(tǒng)為全自動的互鎖設(shè)計，并提供了強大的靈，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。NLD-4000系統(tǒng)提供12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，方便腔體的訪問和清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含多達(dá)7個50ml的加熱汽缸，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

        NLD-4000系統(tǒng)的選配項包含自動L/UL上(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。

NLD-4000在6”晶圓片上的均勻性數(shù)據(jù)：

 周期：100個周期(TMA + H2O)

 均勻度：0.36%

 溫度：200°C

 折射率：1.68

周期：300個周期（TMA + H2O）

均勻度：0.27%

溫度：200°C

折射率：1.67