NA MASTER(那諾-馬斯特)提供離子束刻蝕和反應離子束刻蝕，可以應用于表面清洗、表面處理、離子束研墨、光柵刻蝕，以及SiO2，Si及金屬的深槽反應離子束刻蝕。型號包含NIE-3000，NIE-3500，NIE-4000。
IBE/RIBE離子束刻蝕/反應離子束刻蝕
如銅和金等金屬揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到的方式消除熱量，否則光刻膠將變得去除。
NA-MASTER(那諾-馬斯特)技術已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內的同時，旋轉晶圓片以想要的均勻度。
產品特點：
14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子1000eV,500mA, 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺
晶片旋轉速度3、10RPM，真空步進電機
步進電機控制晶圓片傾斜
手動或自動上晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
6”范圍內，刻蝕均勻度+/-3%
限真空5x10-7Torr，20分鐘內可10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，限真空可達8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅動，4級訪問保護
完整的聯(lián)鎖
IBM離子銑/RIBE反應離子束刻蝕
產品特點：
離子束：2KV/10mA
離子電流密度100-360uA/cm2
離子束直徑：4”,5”,6”
兼容反應及非反應氣體(Ar, O2, CF4,Cl2)
限真空5x10-7Torr
260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵
14”不銹鋼或鋁質腔體
水冷旋轉/傾斜樣品臺(NIE-3500)
自動上片（NIE-3500）
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
占地面積30”x30”
產品應用：
表面清洗
表面處理
離子銑
帶氣體的離子束刻蝕
光柵
SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕
